2025-10-17
王敦辉教授课题组在Advanced Science发文报道:一种用于设计反铁磁体的生成框架
近日,杭州电子科技大学微电子研究院张正明副教授、王敦辉教授课题组在基于深度生成模型的反铁磁体设计中取得新进展,研究成果以“A generative framework for predicting antiferromagnets”为题在《Advanced Science》上在线发表。磁存储器因其存储容量大、非易失性、低功耗以及抗辐射等显著优势,成为推动未来计算架构革新与突破芯片性能瓶颈的关键技术之一。其中,反铁磁体因内部磁矩反平行排列、净磁化强度为零,展现出卓越的...
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